产品属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
制造商编号：BSM150GB120DN2
说明：IGBT 模块 1200V 300A SINGLE
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极******电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 430 A
栅极—射极漏泄电流: 320 nA
Pd-功率耗散: 2500 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
******工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 36.5 mm 
长度: 106.4 mm 
技术: Si 
宽度: 61.4 mm 
商标: Infineon Technologies 
安装风格: Chassis Mount 
栅极/发射极******电压: 20 V 
产品类型: IGBT Modules 
工厂包装数量: 10 
子类别: IGBTs 
零件号别名: BSM300GA120DN2HOSA1 SP000100730 BSM300GA120DN2HOSA1