产品属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
制造商编号：FZ1200R12KL4C
说明：IGBT 模块 1200V 1200A SINGLE
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极******电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 1900 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 7.8 kW
封装 / 箱体: IHM130
最小工作温度: - 40 C
******工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 38 mm 
长度: 140 mm 
技术: Si 
宽度: 130 mm 
商标: Infineon Technologies 
安装风格: SMD/SMT 
栅极/发射极******电压: 20 V 
产品类型: IGBT Modules 
工厂包装数量: 2 
子类别: IGBTs 
零件号别名: FZ1200R12KL4CNOSA1 SP000014916 FZ1200R12KL4CNOSA1